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Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A

Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A

TRAIRF540N

$ 28.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF540N  de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones y está diseñado para soportar un nivel especifico de energía en el desglose del modo de operación de avalancha del modo de mejora del canal P Transistores de efecto de campo de potencia. . Se pueden operar directamente desde circuitos integrados.
    • Tecnología de proceso avanzada
    • Resistencia ultra baja
    • Clasificación dinámica dv / dt
    • 175 ° C Temperatura de funcionamiento
    • Cambio rápido
    • Totalmente clasificado como avalancha
    • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo

    Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 28 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 110 A
    • Corriente de avalancha IAR: 16 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.077 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2396 

    Documentación

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