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Transistor GT30F124C Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 200 A

Transistor GT30F124C Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 200 A

TRAGT30F124C

$ 33.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El GT30F124C es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla de plasma (PDP), flashes estroboscópicos, etc.
 
  • El IGBT cuenta con cambio rápido
  • Bajo voltaje de saturación colector-emisor incluso en la gran área de corriente
  • La alta impedancia de entrada permite unidades de voltaje
  • Aplicaciones: Ideal para aplicaciones de inversores que reducen la pérdida de conmutación y por lo tanto, mejoran la eficiencia energética

Información Básica

  • Tipo de transistor: Mosfet IGBT
  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDSS: 300 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 200 A
  • Disipación potencia PD (Tc=25°C): 25 W
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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