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Transistor STP14NF12FP Mosfet TO220 CH-N 120 V 8.5 A

Transistor STP14NF12FP Mosfet TO220 CH-N 120 V 8.5 A

TRASTP14NF12FP

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP14NF12FP  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Esta serie Power MOSFET realizada con el exclusivo proceso STripFET de STMicro-electronics ha sido específicamente diseñada para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de la compuerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor primario en conversores de DC-DC aislados de alta eficiencia avanzados para aplicaciones de telecomunicaciones y computadoras. También está diseñado para cualquier aplicación con bajos requisitos de accionamiento de carga.

 

  • Excepcional capacidad dv / dt
  • Aplicaciones: Orientada a la caracterización de telecomunicaciones y computadora, Controles UPS Y motor, convertidores DC-DC de alta eficiencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 120 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 120 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 8.5 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 34 A
  • Corriente de avalancha IAR: 25 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 25 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.16 Ω
  • Factor de reducción: 0.17 W/°C
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • Número de pines: 3

Sustituto

No aplica

Documentación

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