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Transistor STP9NK50Z Mosfet TO220 CH-N 500 V 7.2 A

Transistor STP9NK50Z Mosfet TO220 CH-N 500 V 7.2 A

TRASTP9NK50Z

$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP9NK50Z  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STP9NK50Z es un MOSFET de canal N con protección contra Zener  SuperMESH obtenido a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH bien establecida. Además de reducir significativamente la resistencia de encendido y se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad de dv / dt para las aplicaciones más exigentes.

  • Avalancha probado al 100 % 
  • Alta capacidad de corriente
  • Alta capacidad dv/dt
  • Datos avalancha repetitivos a 100°C
  • Bajas capacidades intrínsecas
  • Carga compuerta minimizado
  • Aplicaciones: Administración de potencia, iluminación, industrial

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 7.2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 28.8 A
  • Corriente de avalancha IAR: 7.2 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 110 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.72 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2995     2SK2543     2SK3667

Documentación

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