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Transistor STP60NF06FP Mosfet TO220 CH-N 60 V 60 A
TRASTP60NF06FP
Descripción
El STP60NF06FP de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia STripFET II diseñado en un proceso sTripFET que minimiza la capacitancia de entrada y puerta de carga, por lo tanto, adecuado como interruptor principal en avanzados de alta eficiencia aislados convertidores DC-DC para telecomunicaciones y aplicaciones informáticas y destinados a cualquier aplicación con baja carga de carga de unidad.
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
- Capacidad excepcional dv / dt
-
Avalancha probada
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vds) de 60 V
-
Voltaje de la puerta a la fuente de ± 15 V
-
Corriente continua de drenaje (Id) de 60 A
-
Disipación de potencia (Pd) de 110W
- Baja resistencia al estado de 12mohm en Vgs 10 V
- Rango de temperatura de la junta de trabajo de -65 °C a 175 °C
- Aplicaciones: Administración de potencia
Especificaciones
- Polaridad: Canal N
- Intensidad drenador continua Id: 60 A
- Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 5 V
- Tensión umbral Vgs: 1 V
- Disipación de potencia Pd: 110 W
- Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.014 ohms
- Temperatura de trabajo máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220F
- Número de pines: 3
Sustituto
NTE2953 IRF1010E RFP70N06
Documentación
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