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Transistor M50D060S Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 50A

Transistor M50D060S Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 50A

TRAM50D060S

$ 110.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor M50D060S  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Transistor M50D060S potencia.  transistor El transistor M50D060S IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un componente utilizado cada vez mas en aplicaciones automotrices en el cual la conmutación de altas corrientes es un requisito importante, este tipo de transistores aprovechan la ventaja de un transistor MOSFET y un transistor BJT (Bipolar).

  • Baja perdida de potencia
  • Conmutación suave con baja sobrecarga de conmutación y ruido
  • Alta fiabilidad
  • Alta robustez (RBSOA, SCSOA etc.)
  • Alineación integral
  • Aplicaciones:  Inversor para accionamiento motorizado, amplificador servo AC y DC, fuente de poder ininterrumpida

Información Básica

    • Polaridad de transistor: Canal N
    • Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V
    • Voltaje de puerta a emisor VGE: ±20 V
    • Corriente continua de colector IC: 75 A
    • Corriente de colector pulsada ICM: 150 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25°C): 150 W
    • Temperatura de operación mínima: -40 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-3PF
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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