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Transistor IRF1407 Mosfet TO220 CH-N 75 V 130 A

Transistor IRF1407 Mosfet TO220 CH-N 75 V 130 A

TRAIRF1407

$ 60.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF1407 es un MOSFET de potencia de un solo canal H de HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de este MOSFET de potencia HEXFET® son una temperatura de operación de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida y un índice de avalancha repetitivo mejorado. Estos beneficios se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

 

  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dv/dt dinámica
  • Avalancha repetitva permitida hasta Tjmax
  • Aplicaciones: Control de motor, automoción, administración de potencia

    Información Básica

    • Polaridad del transistor:CH-N
    •  Voltaje drenaje-fuente Vds: 75 V
    • Intensidad drenador continua Id: 130 A
    • Tensión Vgs de medición Rds(on):  10 V
    • Tensión umbral Vgs: 4 V
    • Disipación de potencia Pc (Tc=25°C): 330 W
    • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 0.0078 omhs
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No aplica

    Documentación

    Datasheet

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