$ 40.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El FQP12N60 es un mosfet con la mejora QFET® de canal N de 600 V. El MOSFET de potencia se produce utilizando la banda planar patentada de Fairchild y la tecnología DMOS. Esta tecnología avanzada se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir el pulso de alta energía en el modo de avalancha y conmutación. Este dispositivo es ideal para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico basado en la topología de puente. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

  • Carga de puerta baja
  • Avalancha probado al 100%
  • Menor pérdida de conducción
  • Capacidad dv / dt mejorada
  • Cambio rápido
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente: 600 V
    • Voltaje de compuerta a fuente: ± 30 V
    • Corriente de drenaje: 10.5 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 42 A
    • Corriente de avalancha: 10.5 A
    • Potencia de disipación: 180 W
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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