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Fototransistor PT1300

Fototransistor PT1300

ROB0329

$ 13.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Los foto transistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia usado para detectar luz y convertirla en señal eléctrica.Su construcción es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a través de una ventana o lente.

  • Alta sensibilidad fotográfica
  • Alta sensibilidad radiante
  • Adecuada para radiación visible e infrarroja cercana
  • Tiempos de respuesta rápidos
  • Terminal base conectada
  • Paquete herméticamente sellado
  • Alta sensibilidad a la luz
  • Aplicaciones: Instrumentación y medida  

    Especificaciones

    • Tipo: Foto transistor
    • Polaridad: NPN
    • Voltaje colector base VCBO: 80 V
    • Voltaje colector emisor VCEO: 70 V
    • Voltaje colector emisor base VEBO: 5 V
    • Corriente colector IC: 50 mA
    • Ángulo de sensibilidad media: φ = ± 10 °
    • Temperatura de operación mínima: -40 °C
    • Temperatura de operación máxima: 125°C
    • Encapsulado: TO-18
    • Número de pines: 3

    Aplicaciones

    • Interruptores ópticos (Opto-switches):  Se utiliza junto con un LED para detectar la presencia o interrupción de objetos (por ejemplo, en encoders de velocidad para motores o lectores de cinta)
    • Sensores de proximidad: Para detectar obstáculos o movimiento cercano
    • Receptores de control remoto: En sistemas de comunicación infrarroja y barreras de seguridad
    • Instrumentación y medición: En equipos de laboratorio que requieren alta sensibilidad radiante

    Documentación

    Wikipedia

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