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Transistor IRGB15B60KDPF Mosfet IGBT TO220 600 V 31 A

Transistor IRGB15B60KDPF Mosfet IGBT TO220 600 V 31 A

TRAIRGB15B60KDPBF

$ 90.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

El IRGB15B60KDPBF es un transistor bipolar de puerta aislada con diodo de recuperación suave y ultrarrápido. Cuenta con baja VCE (on) sin punch a través de la tecnología IGBT y las características de recuperación inversa de diodo ultra suave.

  • VF de diodo bajo
  • VCE(on) positivo  coeficiente de temperatura
  • Robusto rendimiento transitorio
  • Baja EMI
  • Excelente compartición actual en funcionamiento paralelo
  • 10μs Capacidad de cortocircuito
  • Aplicaciones: HVAC, Electrónica de consumo, energía alternativa, administración de potencia, control de motor, reparación y mantenimiento  

Información Básica

      • Polaridad del transistor: Canal N
      • Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V
      • Voltaje de puerta a emisor VGE: ±20 V
      • Corriente continua de colector IC (Tc=25°C): 31 A
      • Corriente de colector pulsada ICM: 62 A
      • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 208 W
      • Temperatura de operación mínima: -55 °C
      • Temperatura de operación máxima: 150 °C
      • Encapsulado: TO-220
      • Número de pines: 3

      Sustituto

      No Aplica

      Documentación

      Datasheet

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