$ 95.00 MXN

Precio Regular: $ 120.00
Precio incluye IVA

Descripción

El circuito integrado SN74S289BJ es una memoria RAM volátil muy utilizadas en los MC para almacenar los datos temporalmente, y tiene características de ser volátil debido a que pierde los datos almacenados en ella cuando se desconecta de la alimentación. La RAM se denomina memoria de lectoescritura. La operación de ubicar un dato y visualizarlo se denomina lectura. Almacenar los datos se denomina escritura. Las cuatro entradas de dirección seleccionan una de 16 palabras de la memoria. El bit menos significativo de la dirección es A0, y el mas significativo A3. La entrada de la selección de chip (CE, chip enable), debe ser 0 para habilitar la memoria. Si CE es 1, la memoria queda inhabilitada. La entrada de habilitación de escritura (R/W, read/write) determina el tipo de operación, como se indica en la tabla de función. Se efectúa una escritura cuando R/W = 0. Ello consiste en una transferencia del número binario que está en las entradas de datos a la palabra seleccionada de la memoria. La operación de lectura se efectúa cuando R/W =1, y transfiere el valor de complemento almacenado en la palabra seleccionada, a las lineas de datos de la salida

  • Salidas de colector abierto para cableado y aplicaciones
  • Las entradas obstruidas minimizan la carga
  • Dirección de decodificación en chip
  • Las entradas fijadas de diodo minimizan el timbre
  • 64 Bit de alto rendimiento
  • Aplicaciones: Industrial

Especificaciones

  • Familia: TTL
  • Tipo de memoria: RAM
  • Ancho de pulso escrito: 25 ns
  • Voltaje de alimentación mínima: 4.75 V
  • Voltaje de alimentación máxima:5.25 V
  • Voltaje de salida máximo: 5.5 V
  • Voltaje de entrada máximo: 2 V
  • Corriente de salida de alto nivel: -6.5 mA
  • Corriente de salida de bajo nivel: 16 mA
  • Temperatura de operación mínima: 0 °C
  • Temperatura de operación máxima: 70 °C
  • Encapsulado: DIP
  • Número de pines: 16

Aplicaciones

  • Memorias de tipo borrador (Scratchpad memories): Se usa en CPUs y procesadores digitales como almacenamiento temporal de registros rápidos, acumuladores de datos intermedios o variables de cálculo inmediato
  • Buffers de alta velocidad: Almacenamiento y sincronización temporal de datos de 4 bits entre componentes que operan a diferentes velocidades
  • Archivos de registros pequeños:  Implementación de bancos de registros básicos (de 16 direcciones) en el diseño de microprocesadores experimentales o educativos de arquitectura simple
  • Sistemas de expansión de memoria (Wired-AND): Al tener salidas de colector abierto, permite conectar directamente las salidas de varios chips en paralelo (bus de datos común) utilizando resistencias pull-up externas. Esto facilita expandir la memoria a más palabras (por ejemplo, combinar dos chips para tener 32 palabras de 4 bits) sin generar conflictos en el bus
  • Proyectos educativos:  Muy común en laboratorios de ingeniería electrónica para enseñar los fundamentos de los ciclos de lectura/escritura de una RAM, direccionamiento y control de buses de datos

Sustituto

NTE74S289

Documentación

Datasheet

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