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Transistor STP11NK50Z Mosfet TO220 CH-N 500 V 10 A

Transistor STP11NK50Z Mosfet TO220 CH-N 500 V 10 A

TRASTP11NK50Z

$ 105.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP11NK50Z  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STP11NK50ZFP es un MOSFET de potencia SuperMESH ™ de canal N protegido por zener, que se obtiene a través de una optimización extrema del diseño PowerMESH ™ basado en tiras bien establecido de ST. Además de presionar significativamente la resistencia de ENCENDIDO, se tiene especial cuidado para garantizar una muy buena capacidad dV / dt para las aplicaciones más exigentes.

  • Capacidad dV / dt extremadamente alta
  • 100% avalancha probado
  • Carga de puerta minimizada
  • Capacidades intrínsecas muy bajas
  • -55 a 150 ° C Rango de temperatura de unión de funcionamiento
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 500 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 10 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 40 A
  • Corriente de avalancha IAR: 10 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.48 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

2SK3568     2SK3683     STP14NK50Z

Documentación

Datasheet

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