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Transistor SPW47N60C3 Mosfet Potencia CH-N 650 V 47 A

Transistor SPW47N60C3 Mosfet Potencia CH-N 650 V 47 A

TRASPW47N60C3

$ 395.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPW47N60C3  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 El SPW47N60C3 es un MOSFET de potencia CoolMOST™ de canal N de 650V con poca resistencia en estado de encendido. El MOSFET CoolMOS™ ofrece una reducción de conducción significativa, pérdidas de conducción y conmutación y proporciona gran eficiencia y densidad de potencia para sistemas de conversión de energía superiores. La última generación de tecnología avanzada de MOSFET de alto voltaje hacen a las fuentes de alimentación de CA-CC más eficientes, más compactas, ligeras más que nunca.

  • Almacenamiento de energía muy bajo en capacitancia de salida (Eoss) con 400V
  • Baja carga de compuerta (Qg)
  • Alta eficiencia y densidad de potencia
  • Excelente desempeño
  • Alta confiabilidad
  • Fácil de usar
  • Aplicaciones: Computadoras y perifericos, comunicaciones y red, electrónica de consumo, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20
  • Corriente continua de drenaje ID: 47 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 141 A
  • Resistencia de activación Rds (on): 70 mohms
  • Disipación de potencia Pd (Tc=25°C): 415 W
  • Resistencia de activación RDS (ON) typ: 0.06 ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-247
  • Número de pines: 3
  • Modelo: 98K0744

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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