$ 45.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 16A
  • Tensióndrenaje-fuente Vds: 560V
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.25ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10V
  • Tensión umbral Vgs: 3V
  • Disipación de potencia Pd: 160W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Encapsulado TO-247
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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