$ 9.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor NTD50N03RG de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Tecnología planar
  • RDS bajo (encendido) para minimizar las pérdidas de conducción
  • Baja capacitancia para minimizar las pérdidas del controlador
  • Carga de puerta optimizada para minimizar las pérdidas de conmutación

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje drenaje-fuente VDSS: 25 V
  • Voltaje compuerta-fuente VGSS: ± 20 V
  • Corriente máxima continua  ID: 45 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 50 W
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):12.5 mohm @ 10 V
  • Fuente de drenaje en resistencia VGS RDS(on):19 mohm @ 4.5 V
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado: TO-252
  • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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