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Transistor IRFIB7N50A Mosfet TO220 CH-N 500 V 6.6 A

Transistor IRFIB7N50A Mosfet TO220 CH-N 500 V 6.6 A

TRAIRFIB7N50A

$ 70.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFIB7N50A  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Aislamiento de alto voltaje = 2.5KVRMS
  • La carga baja de la puerta Qg da como resultado un requisito de accionamiento simple
  • Compuerta mejorada, avalancha y dv / dt
  • 100 % avalancha
  • Aplicaciones: Fuente de alimentación de modo de conmutación (SMPS), fuente de alimentación ininterrumpida, conmutación de potencia de alta velocidad

Información Básica

  • Transistor, Polaridad: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 6.6 A
  • Disipación de potencia Pd: 60 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máximo: 0.520  ohm
  • Temperatura de trabajo mínima: -55°C
  • Temperatura de trabajo máxima:  150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

MTP8N50E    MTP8NC50    STP9NB50

Documentación

Datasheet

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