$ 21.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF240 potencia herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel.

Información Básica

  • Canal-N
  • 200 V
  • 18 A
  • 125 W
  • Resistencia de Activación Rds(on): 180mohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 4V
  • Encapsulado TO-3
  • 3 pines

Sustituto

NTE2376

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