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Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 A

Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 A

TRAFQPF9N50

$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El FQPF9N50 es un mosfet QFET® de canal N de 500V,  de potencia que se produce utilizando la banda planar propia de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Este dispositivo es ideal para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia, corrección activa del factor de potencia y balasto electrónico basado en la topología de medio puente. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.

 

  • Carga de compuerta baja
  • 100% avalancha probado
  • Mejora de la confiabilidad del sistema en PFC y topologías de conmutación suave
  • Cambio de mejoras de pérdida
  • Menor pérdida de conducción
  • Diodo  de recuperación rápida
  • Aplicaciones: Administración de potencia, iluminación

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 9 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 76 A
    • Corriente de avalancha: 36 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 44 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.58 ohm
    • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
    • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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