$ 25.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor FQPF9N50 Mosfet Tipo T. 

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Intensidad drenador continua Id: 9 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 500 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.7 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10vV
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 44 W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios