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Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399

Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399

TRAFDS8984

$ 30.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor FDS8984 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño del dispositivo robusto y de baja resistencia.
El FDS8984 es un MOSFET dual de canal N diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CC a CC que utilizan controladores PWM con conmutación síncrona o convencional. Ha sido optimizado para una baja carga de puerta, bajo RDS (ON) y velocidad de conmutación rápida.


  • Carga de puerta baja
  • ± 20 V Puerta a voltaje de fuente
  • 7 A corriente de drenaje continuo
  • 30 A corriente de drenaje pulsado
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N Dual
  • Voltaje de drenaje a fuente Vds: 30 V
  • Voltaje de compuerta a fuente: ± 20 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs; 1.7 V
  • Intensidad drenador continua Id: 7 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 30 A
  • Disipación de potencia Pd: 1.6 W
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.019 Ω
  • Temperatura de funcionamiento mínima:  -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 150 °C
  • Encapsulado: SOIC
  • Número de pines: 8
  • Modelo: 86K1399

Sustituto

Sin aplicar

Documentación

Datasheet

Nota: Tiempo estimado de entrega de 15 días con un mínimo de compra de 15 unidades

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