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Descripción

El transistor 2SK3662 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Resistencia ON baja de la fuente de drenaje: RDS (ON) = 9.4 mΩ (típ.)
  • Alta admisión de transferencia directa | Yfs | = 55 S (típico)
  • Baja corriente de fuga IDSS = 100 μA (máx.) (VDS = 60 V)
  • Modo de mejora Vth = 1.3 a 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Aplicaciones: Reguladores de conmutación, UPS, convertidores DC-DC,
    amplificador de potencia de propósito general

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 35 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 105 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 35 W
  • Resistencia RDS (ON) typ: 0.0125 ohms (Vgs=4V, ID=18A)
  • Resistencia RDS (ON) typ: 0.0094 ohms (Vgs=10V, ID=18A)
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-220F
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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