LM324N icircuito integrado amlificador operacional semiconductores proyectos prácticas de estudiantes mecatrónica robótica tienda de electrónica en Torreón tienda en línea en México virtual online encapsulado dip venta de circuitos

$ 7.00 MXN Precio incluye IVA

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Descripción

Descripción

El LM324N es un circuito diseñado para su uso como amplificador operacional cuádruple con encapsulado DIP de 14 pines. Se compone de cuatro amplificadores operacionales independientes de frecuencia de alta ganancia compensados. Diseñado específicamente para operar desde una sola fuente de alimentación o suministro dividida sobre una amplia gama de voltajes. El lazo abierto amplificación de tensión diferencial de funciones de LM324 normalmente 100V / mV y compensación de frecuencia interna.

El LM324N esta hecho con cuatro amplificadores operacionales de dos etapas compensados internamente. La primera etapa de cada uno consiste en dispositivos de entrada diferencial Q20 y Q18 con transistores de entrada buffer Q21 y Q17 y el convertidor diferencial a un solo extremo Q3 y Q4. La primera etapa realiza no solo la función de ganancia de la primera etapa sino que también realiza las funciones de cambio de nivel y reducción de transconductancia.

Al reducir la transconductancia, se puede emplear un condensador de compensación más pequeño (solo 5.0 pF), ahorrando así el área del chip. La reducción de la transconductancia se logra dividiendo los colectores de Q20 y Q18. Otra característica de esta etapa de entrada es que el rango del modo común de entrada puede incluir el suministro negativo o tierra, en la operación de suministro único, sin saturar ni los dispositivos de entrada ni el convertidor diferencial a un solo extremo. La segunda etapa consiste en una etapa de amplificador de carga de fuente de corriente estándar.

Rango de voltaje de alimentación único de 3V a 32V y voltaje de alimentación doble de ± 1.5V a ± 16V
Razón de rechazo de modo común (CMRR) es 80dB
La velocidad de giro a la ganancia unitaria es 0.5V / μs
Ancho de banda de ganancia unitaria de 1.2MHz
La corriente de alimentación baja es típicamente 0.8mA (independiente de la tensión de alimentación)
El rango de voltaje de entrada en modo común incluye tierra, permitiendo la detección directa cerca del suelo
El voltaje de desplazamiento de entrada es típicamente 3mV
La corriente de desplazamiento de entrada es típicamente 2nA
Rango de voltaje de entrada diferencial de 32 V igual a la tensión de alimentación nominal máxima
Rango de temperatura de funcionamiento de 0 ° C a 70 ° C
Aplicaciones: Procesado de señal, electrónica de consumo, dispositivos portátiles, instrumentación y medida, control de motor, prueba y medida

Especificaciones

Tipo: Alta ganancia
Número de amplificadores: 4
Tensión de alimentación mínima: ± 3 V
Tensión de alimentación máxima: ± 32 V
Suministro de corriente: 50 mA
Disipación de potencia: 500 mW
Ancho de banda: 1.2 MHz
Amplificador de ancho de banda: 1.2 MHz
Velocidad de precesión: 0.5 V/us
Proporción de rechazo de modo común: 65 dB – 80 dB
Voltaje de compensación de entrada: 3 mV
Corriente de suministro operativo: 175 uA
Polarización de entrada de tensión: 100 nA
Corriente de salida: 30 mA
DB de ganancia de voltaje: 106.02 dB
Tensión de modo común: – 1.5 V (1/2 W)
Velocidad de cambio (Slew Rate): 0.5V/µs
Temperatura mínima de funcionamiento: 0°C
Temperatura máxima de funcionamiento: 70°C
Encapsulado DIP
14 pines
Modelo: EE10

Sustituto

NTE987 BA10324 LM224N LM2902N LM324N

Documentación

Datasheet

Nota: Este dispositivo tiene limitada protección ESD incorporada. Los conductores deben estar cortocircuitados juntos o el dispositivo colocado en espuma conductora durante el almacenamiento o manipulación para evitar daños electrostáticos a las puertas MOS.
Las tensiones de alimentación mayores de 32V para una fuente única y fuera del rango de ± 16V para la alimentación dual pueden dañar permanentemente el dispositivo.