$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor MTA30N06  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El MTA30N06 es un  dispositivo de alta energía que ofrece un drenaje a diodo fuente con aplicaciones rápidas como fuentes de alimentación conmutadas, controles de motor PWM y otras cargas inductivas. La capacidad de energía de avalancha es un especificador para eliminar las conjeturas en los diseños donde las cargas inductivas se conmutan y ofrecen un margen de seguridad adicional contra la tensión transitoria esperada.


  • Se puede conducir directamente desde circuitos CMOS, NMOS, TTL
  • Compatible con los requisitos de la unidad automotriz
  • SOA es limitada por disipación de energía
  • Conmutación de velocidades en nano segundos
  • Características de transferencia lineal
  • Alta impedancia de entrada
  • Aplicaciones: Conmutación de señal

 

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 30 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 160 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 50 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.025 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2941   

Documentación

Productos Relacionados

Comentarios