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Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

El IRG4BC30KDPBF es un transistor bipolar de puerta aislada con diodo de recuperación suave ultrarrápido. Los diodos HEXFRED ™ optimizados para el rendimiento con IGBTs. Las características de recuperación minimizadas reducen el ruido, la EMI y las pérdidas de conmutación.

  • Combina pérdidas de baja conducción con alta velocidad de conmutación
  • Distribución de parámetros más estricta y mayor eficiencia que las generaciones anteriores
  • IGBT co-empaquetado con HEXFRED ™ ultra-rápido, diodos anti-paralelo de recuperación suave
  • La última generación de 4 IGBTs ofrece controles de motor de máxima densidad de potencia posibles

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Corriente de colector DC: 28 A
  • Tensión de saturación colector-emisor Vce(on): 2.88 V
  • Disipación de potencia Pd: 100 W
  • Tensión colector emisor V(br)ceo: 600 V
  • Temperatura de trabajo máximo: 150°C
  • Rango de producto: IRG4
  • Series: IGBT
  • Temperatura de trabajo mínimo:-55 °C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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