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Transistor IRFB3206PBF Mosfet TO220 CH-N 60 V 210 A

Transistor IRFB3206PBF Mosfet TO220 CH-N 60 V 210 A

TRAIRFB3206PBF

$ 90.00 MXN

Precio Regular: $ 142.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB3206PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Baja resistencia térmica
  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Cambio rápido
  • Totalmente avalancha nominal
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisito de manejo simple
  • Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo 

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente: 500 V
  • Voltaje de compuerta a fuente: ± 20 V
  • Corriente de drenaje Tc=25°C: 210 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 840A
  • Disipación de potencia Tc=25°C: 300 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.024 Ω
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 Pines
  • Modelo: 18M1460

Sustituto

Sin aplicar

Documentación

Datasheet

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