$ 53.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFB23N20DPBF es un MOSFET de potencia de N-canal único de HEXFET® que ofrece carga de puerta a descarga reducida para reducir pérdidas de conmutación. Es adecuado para convertidores DC-DC de alta frecuencia.

  • Capacidad completamente caracterizada incluyendo COSS efectivo para simplificar el diseño
  • Voltaje y corriente de avalancha completamente caracterizados

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id:  24 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 200V
  • Resistencia de activación Rds(on): 100 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 5.5 V
  • Disipación de potencia Pd: 170 W 
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE2376 

Documentación

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