$ 340.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF612 Tipo T
es un FET de Potencia T MOS de Modo de Acumulación, canal N y 100V diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de gran velocidad y alto voltaje como reguladores de conmutación, convertidores, solenoides y drivers de relevador.
  • Menor RDS (ENCENDIDO)
  • Solidez inductiva mejorada
  • Rápidos tiempos de conmutación
  • Menor capacitancia de entrada
  • Área de funcionamiento seguro extendida
  • Gran confiabilidad de temperatura mejorada

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 14A
  • Tensión drenaje-ruente Vds: 100V
  • Resistencia de activación Rds(on): 160mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10V
  • Tensión umbral Vgs: 4V
  • Disipación de potencia Pd: 77W
  • Temperatura de trabajo máxima: 150°C Canal-N
  • 150 - 200 V
  • 3.5 A
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE67

Documentación

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