$ 57.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF350 potencia cuenta con  muy baja resistencia en estado combinado con una alta transconductancia, energía inversa superior y dv recuperación de diodo / dt capacidad. El transistor HEXFET también cuenta con todas las ventajas bien establecidos de MOSFET como el control de la tensión, de conmutación muy rápido, facilidad de puesta en paralelo y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos.
El IRF350 es un MOSFET HEXFET® de canal N único de 400 V que cuenta con geometría eficiente y procesamiento único de este último diseño de última generación, resistencia muy baja al estado combinado con alta transconductancia, energía inversa superior y recuperación de diodos dv / Dt. El transistor HEXFET también cuenta con todas las ventajas bien establecidas de MOSFET como control de voltaje, conmutación muy rápida, facilidad de paralelismo y estabilidad de temperatura de los parámetros eléctricos.

  • Evaluación de avalanchas repetitivas
  • Valor dinámico dV / dt
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos de unidad sencilla
  • Fácil de paralelo

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 14 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 400 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 300 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
  • Encapsulado TO-3
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

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