$ 22.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción 

Transistor mosfet IRF19Z34 Tipo T es un MOSFET de potencia de tercer canal de potencia de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia ON. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de energía de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del envase contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.

  • Valor dinámico dV / dt
  • -55 a 175 ° C Rango de temperatura de funcionamiento
  • Facilidad de paralelizar
  • Requisitos de unidad sencilla

Información Básica 

  • Transistor, Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 30 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 60 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 50 mohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Disipación de potencia Pd: 88W
  • Temperatura de trabajo máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-220
  • 3 pines

Sustituto 

No Aplica

Documentación

No Aplica

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