$ 29.00 MXN

Precio Regular: $ 39.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El 2SK3115 es un dispositivo DMOS FET de canal N que presenta una baja carga de puerta y excelentes características de conmutación, y diseñado para aplicaciones de alto voltaje como conmutación de suministro de energía, adaptador de CA.

 

  • Capacidades de avalancha
  • Carga baja de la compuerta
  • Baja resistencia en estado
  • Aplicaciones: Fuente de alimentación conmutada, adaptador de CA

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 6 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 24 A
    • Corriente de avalancha IAR: 6 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 35 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.9 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

      Sustituto

      NTE2974      2SK1118   2SK1507   2SK2564   2SK2645   2SK2141    

      Documentación 

       

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