$ 375.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El 2N5886G es un transistor de silicio complementario de alta potencia de 25 A NPN diseñado para amplificador de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación

  • Tensión baja de la saturación del colector-emisor (1VDC máximo VCE (sat) @ 15A DC IC)
  • Baja corriente de fuga (1mA DC máxima ICEX @ tensión nominal)
  • Excelente ganancia de corriente DC (20 hFE @ 10A DC IC como mínimo)
  • Aplicaciones: Industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector emisor V (br) ceo: 80 V
  • Frecuencia de transición  ft: 4 MHz
  • Disipación de potencia Pd: 200 W
  • Corriente del colector DC: 25 A
  • Ganancia de corriente DC hFE: 100 hFE
  • Temperatura de operación máxima: 200°C
  • Encapsulado: TO-3
  • Número de pines: 2

Sustituto

NTE181  2N3771G  2N5886  MJ802  MJ802G

Documentación

Datasheet

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