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NTE3320 Mosfet IGBT Potencia 600 V 50 A

NTE3320 Mosfet IGBT Potencia 600 V 50 A

NTENTE3320

$ 517.00 MXN

Precio Regular: $ 1,106.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.


  • IGBT de cuarta generación
  • Tipo de modo de mejora
  • Alta velocidad
  • Pérdida de conmutación baja
  • Voltaje de saturación bajo

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V
    • Voltaje de compuerta a emisor VGE: ±20 V
    • Corriente continua de colector IC: 50 A
    • Corriente de colector pulsada ICM: 100 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 240 W
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-3PM
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE3320

    Documentación 

     

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