$ 310.00 MXN

Precio Regular: $ 574.00
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Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones.

El NTE3311 es un IGBT de canal N y 600V con un diodo hiper rápido antiparalelo que ombina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones de conmutación de alto voltaje que operan en frecuencias.


  • Impedancia de entrada alta
  • Alta velocidad
  • Voltaje de saturación bajo
  • Modo de mejora
  • Aplicaciones: Conmutación de alta potencia y control de motores

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de colector a emisor VCES: 600 V
    • Voltaje de compuerta a emisor VGE: ±20 V
    • Corriente continua de colector IC: 25 A
    • Corriente de colector pulsada ICM: 50 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-3PM
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE3311

    Documentación 

     

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