$ 195.00 MXN

Precio Regular: $ 220.00
Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE3089 consta de dos LED de arseniuro de galio conectados en paralelo inverso y acoplados con un fototransistor de silicio en un paquete tipo DIP de 6 conductores.

 

  • Entradas de CA o insensibles a la polaridad
  • Velocidades de conmutación rápidas
  • Protección de entrada de polaridad inversa incorporada
  • Alto voltaje de aislamiento E / S de resistencia de aislamiento compatible con circuito integrado
  • Aplicaciones: Administración de potencia, comunicaciones y red, control de motor

Información Básica

  • Tipo de salida: Fototransistor NPN
  • Número de canales: 1
  • Voltaje colector base VCBO: 70 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 30 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Corriente directa If máxima: 60 mA
  • Tensión de aislamiento 1.06 kV
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado DIP
  • 6 pines

Sustituto

NTE3089

Documentación 

 

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