$ 287.00 MXN

Precio Regular: $ 498.55
Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE2923. Switch de alta velocidad. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.


  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Avalancha repetitiva clasificado
  • Orificio de montaje central aislado
  • Cambio rápido
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisitos de unidad simples

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 4 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 8.8 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 35 A
    • Corriente de avalancha IAR: 8.8 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 150 W
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado:TO-247
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2923

    Documentación 

     

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