$ 287.00 MXN

Precio Regular: $ 507.00
Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE2376. Switch de alta velocidad. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Avalancha repetitiva clasificado
  • Orificio de montaje central aislado
  • Cambio rápido
  • Facilidad de paralelismo
  • Requisitos de unidad simples
  • Avalancha repetitiva clasificado

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 100 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 30 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 120 A
  • Corriente de avalancha IAR: 30 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 190 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-247
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE2376

Documentación 

 

 

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