$ 90.00 MXN

Precio Regular: $ 180.33
Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE219 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia de audio, switch de media velocidad. El NTE 219 es un silicio PNP complementaria transistor de energía -60V diseñado para aplicaciones de conmutación y del amplificador de propósito general.

 

  • Su complemento es NTE130
  • Ganancia de corriente DC (hFE = 20 a 70 en IC4A)
  • Tensión de saturación del colector-emisor (VCE (sat) = 1.1V máximo en Ic = 4A)
  • Excelente zona de funcionamiento seguro
  • Aplicaciones: Amplificador de potencia de audio, interruptor de velocidad media

Información Básica

  • Polaridad del transistor: PNP
  • Voltaje colector base VCBO: 100 V
  • Voltaje colector emisor VCEO: 60 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 7 V
  • Corriente de colector IC: 15 A
  • Corriente de base IB: 7 A
  • Disipación de potencia de colector PC (Tc=25 °C): 115 W
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 200°C
  • Encapsulado: TO-3
  • Número de pines: 2

Sustituto

NTE219

Documentación 

 

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