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NTE2114 CMOS Ram Estática 4 K

NTE2114 CMOS Ram Estática 4 K

NTENTE2114

$ 100.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Semiconductor NTE2114 es un circuito integrado diseñado para su uso como memoria RAM estática 4 K de acceso aleatorio estática de 4 bits  de 1024 palabras de  N-channel. Todos los circuitos internos son totalmente estáticos y por lo tanto no requieren relojes ni operación. Los datos se leen de forma no destructiva y tienen la misma polaridad que los datos de entrada. proporcionan los pines de entrada / salida mon. La entrada de selección de chip separada (CS) permite la expansión de memoria fácil OR-atar dispositivos individuales a un bus de datos.


  • Baja potencia: 225mW Tipo
  • Alta velocidad: hasta 300ns Tiempo de acceso
  • TRI-STATE Salida para interfaz de bus
  • Datos comunes en y datos hacia fuera botones
  • Todas las entradas y salidas son directamente compatible con TTL
  • Operación estática: no se necesitan relojes
  • 300 ns
  • 4 K

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Suministro de voltaje mínimo: 4.75 V
  • Suministro de voltaje máximo: 5.25 V
  • Temperatura de funcionamiento mínima: 0°C 
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 70°C
  • Encapsulado DIP
  • 18 pines

Sustituto

NTE2114  UPD2114LC

Documentación 

Nota: Circuito integrado sensible, tomar precauciones durante su manipulación como pulsera antiestática

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