$ 13.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  TK3P50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El TK3P50D es un MOSFET de silicio de modo de mejora de canal N adecuado para aplicaciones de regulador de voltaje de conmutación.

  • Baja fuente de drenaje con resistencia ON
  • Admisión de transferencia de alta 1.0 S alta
  • Corriente máxima de fuga de 10μA
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Especificaciones

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDSS: 500 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 3 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 6 A
  • Corriente de avalancha IAR: 10 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 60 W
  • Resistencia VGS RDS(on) typ: 2.3 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-252
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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