$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Especificaciones

  • Temperatura de operación: 150°C
  • Continuous Drain Current Id: 3 A
  • Fuente de drenaje de voltaje Vds: 500 V
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • ON RESISTANCE RDS (on): 2.3 ohm
  • Disipación de energía Pd: 60 W
  • RDS (on) Tensión de prueba Vgs: 10 V
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.4 V
  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Encapsulado: TO-252
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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