$ 10.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor TIP29C Tipo T de Potencia de 100V NPN fabricado en tecnología planar con diseño de isla base. El transistor muestra un excepcional rendimiento de alta ganancia, junto con un voltaje de saturación muy bajo. Tiempos de conmutación rápidos y tensión de saturación muy baja, lo que resulta en pérdidas de conmutación y conducción reducidas.
  • Parámetro hFE controlado para una mayor fiabilidad
  • Tensión colector-base (Vcbo = 100V)
  • Voltaje emisor-base (Vcbo = 5V)

Información Básica

  • Transistor, Polaridad: NPN
  • Intensidad drenador continua Id
  • Tensión colector emisor V(br)ceo 100V
  • Tensión drenaje-fuente Vds
  • Frecuencia de rransición ft:  3MHz
  • Resistencia de Activación Rds(on)
  • Corriente de dolector DC: 1A
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on)
  • Ganancia de corriente DC hFE: 15hFE
  • Tensión Umbral Vgs
  • Disipación depotencia Pd: 30W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Encapsulado:  TO-220
  • 3 pines

Sustituto

NTE291 

Documentación

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