Inicio
» Transistor SW730 Mosfet TO220 CH-N 400 V 6 A
Transistor SW730 Mosfet TO220 CH-N 400 V 6 A

Transistor SW730 Mosfet TO220 CH-N 400 V 6 A

TRASW730

$ 19.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SW730 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El SW730 es un  powerMOSFET  en CHMC con tecnología VDMOSt de SAMWIN que permite que el MOSFET de potencia tenga mejores características, como el tiempo de conmutación rápido, bajo en resistencia, baja carga de compuerta y especialmente excelentes características de avalancha. Eso es principalmente adecuado para el puente medio o puente completo topología resonante como un lastre electrónico, y también dispositivos de energía de modo de conmutación de baja potencia. 

  • Capacidad de energía de avalancha especificada a temperatura elevada
  • Carga de puerta baja almacenada para una conmutación eficiente
  • Baja potencia de conducción, alto voltaje
  • Garantía de prueba de avalancha VGS = ±  20 V
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 400 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 400 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 6 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 73 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.81 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

IRF840

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios