$ 24.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SUP75N06-08 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Capacidad de energía de avalancha especificada a temperatura elevada
  • Carga de puerta baja almacenada para una conmutación eficiente
  • Baja potencia de conducción, alto voltaje
  • Garantía de prueba de avalancha VGS = ± 30V
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • oltaje de drenaje-fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 60 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 75 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 250 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.007 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

SUP85N06-05

Documentación

Datasheet

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