$ 25.50 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


Información Básica

  • Transistor, Polaridad Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id 4.4A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds 500V
  • Resistencia de Activación Rds(on) 1.22ohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10V
  • Tensión Umbral Vgs 3.75V
  • Disipación de Potencia Pd 25W
  • Diseño de Transistor TO-220FP
  • Núm. de Contactos 3Pines
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Rango de Producto -
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Canal-N
  • 500 V
  • 4.5 A
  • 25 W
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

 

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