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Transistor STP55NE06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 55 A

Transistor STP55NE06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 55 A

TRASTP55NE06

$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet STP55NE06  Tipo "T" de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El transistor mosfet STP55NE06 para aplicaciones de conmutación de alto voltaje y alta velocidad, regulador de conmutación y aplicaciones de motor y convertidor DC-DC.
  • 100%  avalancha probado
  • Alta capacidad de corriente
  • Alta capacidad dv/dt
  • Datos avalancha repetitivos a 100°C
  • Bajas capacidades intrínsecas
  • Carga compuerta minimizado
  • Tensión de umbral reducida
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación,  convertidores DC-AC y DC-DC,reguladores,amplificadores de audio, control de motores, funciones automotriz( como bolsa de aire, inyección ABS, faros)

Información Básica

    • Polaridad de transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 55 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 220 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 130 W
    • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.019 ohms
    • Temperatura de operación mínima: -65 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2953    STP55N06

    Documentación

    Datasheet

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