Inicio
» Transistor STP4NC60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.2 A
Transistor STP4NC60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.2 A

Transistor STP4NC60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.2 A

TRASTP4NC60

$ 23.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP4NC60 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El STP4NC60 es un MOSFET de potencia SuperMESH ™ de canal N que ofrece protección Zener. Este Power MOSFET se desarrolló utilizando la tecnología SuperMESH ™ de STMicroelectronics, lograda a través de la optimización del diseño PowerMESH ™ basado en bandas bien establecido de ST. Además de una reducción significativa en la resistencia ON, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dV / dt para las aplicaciones más exigentes.

  • 100% avalancha probado
  • Capacitancia intrínseca muy baja
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 4.2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 16.8 A
  • Corriente de avalancha IAR: 4.2 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 100 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 1.8 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220FP
  • 3 Pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

    Productos Relacionados

    Comentarios