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Transistor STP30NF10FP Mosfet TO220 CH-N 100 V 18 A
TRASTP30NF10FP
Descripción
El transistor STP30NF10FP de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
- Excepcional capacidad de dv/dt
- 100% avalancha probado
- Aplicaciones: Convertidores DC-DC de alta eficiencia, control de UPS y Motores
Información Básica
- Polaridad: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
- Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 100 V
- Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 18 A
- Corriente de drenaje pulsada IDM: 72 A
- Corriente de avalancha IAR: 10 A
- Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 30 W
- Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.038 Ω
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175°C
- Encapsulado TO-220F
- 3 pines
Sustituto
IRFB4212PBF IRFI540N
Documentación
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