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Transistor STF11NM80 Mosfet TO220 CH-N 800 V 11 A

Transistor STF11NM80 Mosfet TO220 CH-N 800 V 11 A

TRASTF11NM80

$ 146.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STF11NM80 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Baja resistencia de entrada en la compuerta
  • Baja capacidad de entrada y carga de la puerta
  • Aplicaciones:  Conmutación,  convertidores,  Flyback y para circuitos de encendido en el campo de la iluminación

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS:800 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 800 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C):  10 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 44 A
  • Corriente de avalancha IAR: 2.5 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 35 W
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.35 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3
  • Modelo: 33R1190

    Sustituto

    STP11NM80

    Documentación

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