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Transistor SSP6N60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 6 A

Transistor SSP6N60 Mosfet TO220 CH-N 600 V 6 A

TRASSP6N60

$ 28.00 MXN

Precio Regular: $ 40.00
Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SSP6N60 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Mejora de la fiabilidad a altas temperaturas
  • RDS bajo (on)
  • Tiempos de cambio rápidos
  • Baja capacitancia de entrada
  • Áreas de operación seguras extendidas
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje-fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje-compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de fuente-compuerta VGS: ± 20 V
  • Corriente de drenaje continuo ID: 6 A
  • Corriente pulso máxima IDP: 24 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 125 W
  • Resistencia de activación Rds(on) máxima: 1.8 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -50 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

    Sustituto

    NTE2379    2SK3115

    Documentación

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