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Transistor SPP03N60C3 Mosfet TO220 CH-N 650 V 3.2 A

Transistor SPP03N60C3 Mosfet TO220 CH-N 650 V 3.2 A

TRASPP03N60

$ 16.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor SPP03N60C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Nueva tecnología revolucionaria de alto voltaje
  • Carga de puerta ultra baja
  • Evaluación periódica de avalancha
  • Extremo dV/reT calificado
  • Capacidades efectivas muy bajas
  • Transconductancia mejorada

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 650 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 3.2 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 9.6 A
  • Corriente de avalancha IAR: 3.2 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 38 W
  • Resistencia VGS RDS(on) typ (T=25°C): 1.26 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines

Sustituto

No aplica

Documentación

Datasheet

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