$ 80.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor SPD06N80C3.  El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET. 

Especificaciones

  • Transistor, Polaridad: Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id: 6A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds: 800V
  • Resistencia de Activación Rds(on): 0.78ohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on): 10V
  • Tensión Umbral Vgs: 3V
  • Disipación de Potencia Pd: 83W
  • Temperatura de Trabajo Máxima: 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mínima: -55 °C
  • Transistor Tipo de caja: TO-252
  • 3 pines
  • Modelo: 33P8208

Documentación

Wikipedia

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