$ 65.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet STB6NK60ZT4. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Especificaciones

  • Transistor, Polaridad Canal N
  • Intensidad Drenador Continua Id 3 A
  • Tensión Drenaje-Fuente Vds 600 V
  • Resistencia de Activación Rds(on) 1 ohm
  • Tensión Vgs de Medición Rds(on) 10 V
  • Tensión Umbral Vgs 3.7 5V
  • Disipación de Potencia Pd 110 W
  • Temperatura de Trabajo Máx. 150°C
  • Temperatura de Trabajo Mín. -55 °C
  • Tipo de caja de transistor: TO-263
  • 3 pines
  • Modelo: 33R1127

Documentación

Datasheet

Wikipedia

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